場效應晶體管是一種基于半導體材料的電子元件,它是通過控制半導體中的載流子密度來控制電流的。它有三個電極:漏極、源極和柵極。其中,漏極和源極之間形成了一個由半導體構成的導電通道,通過控制柵極的電場,可以控制通道中的電子數量,從而控制漏極和源極之間的電流。
場效應晶體管具有以下特點:
輸入電阻高:由于FET的柵極與半導體之間是一個大面積的PN結,所以柵極電阻非常高,輸入電阻也就非常高,通常在幾百MΩ到幾GΩ之間,比雙極型晶體管高得多。
噪聲低:由于輸入電阻高,FET的噪聲比雙極型晶體管低很多,特別是在低頻和中頻區(qū)域,可以有效降低電路噪聲。
帶寬高:由于FET的輸入電阻高,電容小,因此在高頻區(qū)域可以工作得更好,具有更高的帶寬。
功耗低:FET的輸出電流非常小,所以它的功耗也非常低,適合用于低功耗應用中。
開關速度快:FET的載流子移動速度很快,因此可以實現很高的開關速度。
可靠性高:FET沒有移動部件,因此壽命比雙極型晶體管更長,而且更耐高溫。
上述就是
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