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場效應(yīng)晶體管
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電壓基準源Vref
電壓頻率轉(zhuǎn)換器
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數(shù)模電路
15KP.1N系列二級管
P.12/16/20/25F系列二級管
30/40/60/70.A.B.D.S.T系列
R.C.KBPC.M系列二極管
二極管
2N.3N.4N系列三極管
2S.D.I.M.T系列三極管
A.B系列三極管
MR.MS系列三極管
HXTR.PT系列三極管
SD.NE系列三極管
2SC.CD.T.U系列三極管
三極管
微處理器和片上系統(tǒng)
現(xiàn)場可編程門陣列
存儲器電路
模數(shù)轉(zhuǎn)換器
數(shù)模轉(zhuǎn)換器
總線電路
接口和驅(qū)動電路
邏輯和電平電路
電源管理芯片
射頻和微波電路
分立器件
抗輻照高性能
抗輻照高性能
微處理器和片上系統(tǒng)
現(xiàn)場可編程門陣列
存儲器電路
模數(shù)轉(zhuǎn)換器
數(shù)模轉(zhuǎn)換器
總線電路
接口和驅(qū)動電路
邏輯和電平電路
電源管理芯片
射頻和微波電路
分立器件
分立器件
玻璃封裝快恢復二極管
型號
抗輻射性能
主要功能
封裝
兼容型號
G2CZ5811US
對輻照不敏感
BV≥160V,I
F
=6A,t
rr
≤30ns,V
F
≤0.925V@6A
D-5B
1N5811US
G2CZ5415US
BV≥55V,I
F
=9A,t
rr
≤150ns,V
F
≤1.5V@9A
D-5B
1N5415US
G2CZ5418US
BV≥440V,I
F
=9A,t
rr
≤150ns,V
F
≤1.5V@9A
D-5B
1N5418US
G2CZ5806
BV≥160V,I
F
=2.5A,t
rr
≤25ns,V
F
≤0.975V@2.5A
DO-41
1N5806
G2CZ5806US
BV≥160V,I
F
=2.5A,t
rr
≤25ns,V
F
≤0.975V@2.5A
D-5A
1N5806US
G2CZ6642US
BV≥75V,I
F
=300mA,t
rr
≤5ns
D-5D
1N6642US
*G2CZ0112
BV≥1200V,I
F
=1A,t
rr
≤80ns
Glassaxial leaded
SDR1N
金屬陶瓷封裝快恢復二極管
型號
抗輻射性能
主要功能
封裝
兼容型號
G2CZ2020CU3
對輻照不敏感
BV≥200V,I
F
=10A
SMD-0.5
HFB20HJ20
G2CZ4060CU1
BV≥600V,I
F
=30A
SMD-1
HFA40HF60CSCS
*G2CZ4560CT6
BV≥600V,I
F
=45A
TO-259AA
HFA45HI60CSCS
*G2CZ3560CT1
BV≥600V,I
F
=30A
TO-254AA
HFA35HB60CSCS
*G2CZ35120CT1
BV≥1200V,I
F
=15A
TO-254AA
HFA35HB120CSCS
玻璃雙向抑制瞬態(tài)二極管
型號
抗輻射性能
主要功能
封裝
兼容型號
GBSY6116A
對輻照不敏感
P
PP
=500W,V
BR
≥25.7V, V
RWM
=20.6V, I
R
<1uA, V
C
<37.4V
Glass axial leaded
1N6116A
GBSY6125
P
PP
=500W,V
BR
≥55.8V,V
RWM
=47.1V,I
R
<1uA,V
C
<89.3V
Glass axial leaded
1N6125
GBSY6126A
P
PP
=500W,V
BR
≥64.6V,V
RWM
=51.7V,I
R
<1uA,V
C
<97.1V
Glass axial leaded
1N6126A
*GBSY6127A
P
PP
=500W,V
BR
≥71.3V, V
RWM
=56.0V, I
R
<1uA,V
C
<103.1V
Glass axial leaded
1N6127A
*GBSY6128A
P
PP
=500W,V
BR
≥77.9V, V
RWM
=62.2V, I
R
<1uA,V
C
<112.8V
Glass axial leaded
1N6128A
GBSY6129A
P
PP
=500W,V
BR
≥86.5V, V
RWM
=69.2V, I
R
<1uA,V
C
<125.1V
Glass axial leaded
1N6129A
玻璃封裝穩(wěn)壓二極管
型號
抗輻射性能
主要功能
封裝
兼容型號
G2CW4482
對輻照不敏感
V
Z
=51V,
I
R
<0.05uA,P
t
=1.5W,α
vz
<0.096%/℃
DO-41
1N4482
G2CW4491
V
Z
=120V,
I
R
<0.25uA,
P
t
=1.5W,
α
vz
<0.1%/℃
DO-41
1N4491
G2CW4982US
V
Z
=100V,
I
R
<0.25uA,
P
t
=5W,
α
vz
<0.1%/℃
D-5B
1N4982US
*G2CW4494US
V
Z
=160V,
I
R
<0.25uA,
P
t
=1.5W,
α
vz
<0.100%/℃
D-5A
1N4494US
*G2CW6326US
V
Z
=12V,
I
R
<1.0uA,
P
t
=0.5W,
α
vz
<0.076%/℃
D-5D
1N6326US
*G2CW4116US
V
Z
=24V,
I
R
<0.01uA,
P
t
=0.5W,
α
vz
<0.090%/℃
D-5D
1N4116UR
*G2CW4489US
V
Z
=100V,
I
R
<0.25uA,
P
t
=1.5W,
α
vz
<0.099%/℃
D-5A
1N4489US
*G2CW4492US
V
Z
=130V,I
R
<0.25uA,
P
t
=1.5W,
α
vz
<0.100%/℃
D-5A
1N4492US
玻璃封裝肖特基二極管
型號
抗輻射性能
主要功能
封裝
兼容型號
*G2CK5822
對輻照不敏感
BV≥40V,I
F
=3A
Glass axial leaded
1N5822
*G2CK5822US
BV≥40V,I
F
=3A
D-5B
1N5822US
NPN雙極晶體管
型號
抗輻射性能
主要功能
封裝
兼容型號
G3DK3500
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥150V,V
CEO
≥150V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.3A,β=40-120
TO-39
2N3500
G3DK3501
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥150V,V
CEO
≥150V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.3A,β=100-300
TO-39
2N3501
G3DK3501UB
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥150V,V
CEO
≥150V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.3A,β=100-300
UB
2N3501UB
G3DK2219A
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥75V,V
CEO
≥50V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.8A,β=100-300
TO-39
2N2219A
G3DK2222A
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥75V,V
CEO
≥50V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.8A,β=100-300
TO-18
2N2222A
G3DK2222AUB
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥75V,V
CEO
≥50V,V
EBO
≥6V,I
C
=0.8A,β=100-300
UB
2N2222AUB
G3DK2369A
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥40V,V
CEO
≥15V,V
EBO
≥4.5V,I
C
=0.2A,β=20-120
TO-18
2N2369A
*G3DK3700UB
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥140V,V
CEO
≥80V,I
C
=1A,β=100-300
TO-39
2N3700UB
G3DA3585
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥500V,V
CEO
≥300V,V
EBO
≥6V,I
C
=2A,β=25-100
TO-66
2N3585
G3DA6678
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥650V,V
CEO
≥400V,V
EBO
≥8V,I
C
=15A,β=15-40
TO-3
2N6678
G3DA5672
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥150V,V
CEO
≥120V,V
EBO
≥7V,I
C
=30A,β=20-100
TO-3
2N5672
G3DA5667
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥400V,V
CEO
≥300V,V
EBO
≥6V,I
C
=5A,β=25-75
TO-39
2N5667
*G3DA5667U3
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥400V,V
CEO
≥300V,V
EBO
≥6V,I
C
=5A,β=25-75
SMD-0.5
--
*G3DA5109
TID≥100KRad(Si)
V
CBO
≥40V,V
CEO
≥20V,V
EBO
≥3V,I
C
=400mA,f
T
≥1.2GHz
TO-39
2N5109
N溝抗輻射 VDMOS器件
型號
抗輻射性能
主要功能
封裝
兼容型號
*GBCS7587U3RH
TID≥100KRad(Si)
SEL≥75MeV?cm2/mg
BV
DSS
=100V, I
D
=22A, R
DS(ON)
=0.042Ω
SMD-0.5
IRHNJ67130SCS
*GBCS7591T2RH
TID≥100KRad(Si)
SEL≥75MeV?cm2/mg
BV
DSS
=200V, I
D
=9.1A, R
DS(ON)
=0.145Ω
TO-39
IRHF67230
*GBCS7269T1RH
TID≥100KRad(Si)
SEL≥75MeV?cm2/mg
BV
DSS
=200V, I
D
=26A, R
DS(ON)
=0.1Ω
TO-254
JANSR2N7269
*GBCS7269U1RH
TID≥100KRad(Si)
SEL≥75MeV?cm2/mg
BV
DSS
=200V, I
D
=26A, R
DS(ON)
=0.1Ω
SMD-1
JANSR2N7269U
*GBCS7586U2RH
TID≥100KRad(Si)
SEL≥75MeV?cm2/mg
BV
DSS
=250V, I
D
=50A, R
DS(ON)
=0.040Ω
SMD-2
IRHNA67264
快恢復二極管陣列
型號
抗輻射性能
主要功能
封裝
兼容型號
*GBZL1001SS
對輻照不敏感
BV≥300V,t
rr
≤25ns,V
F
≤2V
CFP16
SDA1001SS
*GBZL1005SS
BV≥75V,t
rr
≤10ns,V
F
≤1V
CFP16
SDA1005SS
*GBZL1006S
BV≥200V,t
rr
≤150ns,V
F
≤1.6V
CFP16
SDA1006S
*GBZL1008SS
BV≥150V,t
rr
≤35ns,V
F
≤1V
CFP16
SDA1008SS
*GBZL1009SS
BV≥400V,t
rr
≤150ns,V
F
≤3.2V
CFP16
SDA1009SS
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