產(chǎn)品類型 | 產(chǎn)品型號 | 工作電壓 (DC） | 主要指標1 | 主要指標2 | 輻照指標 | 尺寸(mm3) | 替代型號 |
四路集成功率 驅(qū)動電路 | GPA100-5 | 120V | 最大輸出電流:4A | 輸入接口: +12V 方波輸入 | 總劑量: ≥100Krad(Si) 單粒子: ≥75MeV.cm2/mg | 63.5*45.5*7.7 | HPA100-5 |
電阻/電壓/電流 轉(zhuǎn)換器 | GRVI-A | ±12V | 電流精度 ≦0.12mA | 電壓精度≦60mV | 總劑量: ≥30Krad(Si);單粒子:(燒毀) ≥37MeV.cm2/mg | ≦25.5*20.6*6.5 | HRVI-A |
| 電流/電壓轉(zhuǎn)換器 | GIV5-B | ±12V | 輸出正向限幅:≦6.3V | 電壓精度: ≦30mV | ≦25.5*20.6*6.5 | HIV5-B |
雙速解算/數(shù)字 轉(zhuǎn)換器 | GTS18R16-86-5/2-A12 | ±12V+5V | 分辨率18bit | 輸出精度: ±20角秒 | 總劑量: ≥20Krad(Si);單粒子:(鎖定)≥37MeV.cm2/mg | 57*29*7.1 (帶固定端) | HTS18R16-86-5/2-A12 |
| GTS16R8-86-5/2.8-A | ±15V+5V | 分辨率16bit | 輸出精度: ±40角秒 | HTS16R8-86-5/2.8-A |
| 功率振蕩器 | GOSC2758C | +12V | 輸出頻率:1.8KHz~2.2KHz | 功耗:≦4W | 總劑量: ≥20Krad(Si);單粒子:(燒毀)≥75MeV.cm2/mg | 24.98*20.08*9.7 | OSC1758
HOSC2758C |
| 400Hz~20KHz雙路輸出可編程時鐘 | GOSC15801 | +15V | 輸出電壓: 6.2~8.8V | 輸出電流: 2.5mA | 總劑量:≥20Krad(Si);單粒子:(燒毀)≥75MeV.cm2/mg | 25.45*20.32*4.83 | OSC15801
HOSC15801 |
| 線性功率放大器 | GPA51-RH | ±34V | 輸出失調(diào)電壓:±10V | 靜態(tài)電流: ≦13mA | 總劑量:≥50Krad(Si);單粒子:(燒毀)≥75MeV.cm2/mg | 39.36*6.7*25.9(TO封裝) | PA51
HPA51-RH |
| 功率驅(qū)動器 | GMSK4300 | 28V | 最大輸出電流:10A | 六路PWM方波 | 45.0*40.0*6.5 | MSK4300
HMSK4300 |
| 功率驅(qū)動器 | GMSK4301 | 28V | 最大輸出電流:29A | 六路PWM方波 | 總劑量: ≥50Krad(Si);單粒子:(燒毀)≥37MeV.cm2/mg | 55.88*33.02*7.62 | MSK4301
HMSK4301 |
| 多路電壓基準源 | GRV584TO-A | 15V | 輸出電壓(空載):9.98~10.020V | 線性調(diào)整: ±5X10-5l/V | 總劑量:≥100Krad(Si);單粒子:(鎖定)≥37MeV-cm2/mg | Φ9.39(TO、DIP 封裝) | AD584
HRV584TO-A |
