特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ |
3DA3A |
20 |
2.5
| 60 | 50 |
5 |
-65~175 |
3DA3B | 80 | 70 |
| 3DA3C | 120 | 100 |
aPtot為TC=75℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 50 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=20V | - | - | 0.2 | mA |
ICEO | VCE=20V | - | - | 0.1 | mA |
IEBO | VEB=2V | - | - | 0.1 | mA |
hFE | VCE=5V,IC=750mA | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=1.5A,IB=300mA | - | - | 1.2 | V |
VCE(sat) | IC=1.5A,IB=300mA | - | - | 0.8 | V |
| fT | VCE=5V,IC=500mA,f=10MHz | 80 | - | - | MHz |
