特點(diǎn)
金屬封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：B2-01C、SMD-2、TO-258型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ |
3CA80A |
80 |
10
| -40 | -30 |
-5 |
-55~175 |
3CA80B | -60 | -40 |
| 3CA80C | -80 | -60 |
| 3CA80D | -100 | -80 |
| 3CA80E | -120 | -100 |
| 3CA80F |
8
| -140 | -120 |
| 3CA80G | -180 | -160 |
| 3CA80H | -220
| -200 |
aPtot為TC=75℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | - | 0.5 | mA |
ICEO | VCE=-20V | - | - | 0.1 | mA |
IEBO | VEB=-2V | - | - | 0.1 | mA |
hFE | VCE=-5V,IC=1A | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=5A,IB=1A | - | - | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=5A,IB=1A | - | - | -0.8 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=200mA,f=10MHz | 40 | - | - | MHz |
