特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時間??；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
可替代國外產(chǎn)品：2N5415.
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20056-2009,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | W | A | V | V | V | ℃ |
3CK5415 |
750 |
10 |
1 | 200 | 200 |
6 |
-65~200 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照4.29mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按57.1mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -200 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -200 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -6 | - | - | V |
ICBO | VCB=-175V | - | 1 | 50 | μA |
ICEO | VCE=-150V | - | 1 | 50 | μA |
IEBO | VEB=-6V | - | 0.5 | 20 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=50mA | 30 | - | 120 | - |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.8 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.4 | -1.2 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=5mA,f=10MHz | 15 | 50 | - | MHz |
Cob
| VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | -
| 10
| 15
| pF
|
ton
| IC=50mA,IB=5mA | - | 0.2
| 1
| μs
|
toff
|
IC=50mA,IB=5mA | -
| 5
| 10
| μs |
