特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時間?。辉诟鞣N電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CK4036A |
1000 |
2000 |
1000
| -50 | -35 |
-5 |
-55~175 |
3CK4036B | -75
| -50 |
| 3CK4036C | -90
| -65 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照6.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -50 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -35 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 0.02 | 1 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 0.02 | 5 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 1 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=150mA | 25 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | -0.9 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | -0.2 | -0.6 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 60 | 150 | - | MHz |
ton
| IC=150mA,IB=15mA | - | 40
| 80
| ns
|
toff
| IC=150mA,IB=15mA | -
| 180
| 200
| ns |
