特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時間??；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準
G、G+級，QZJ840611;
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20050-2009,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | A | V | V | V | ℃ |
3CK3108(LY3108A) |
300 |
1000 |
0.2 | -70 | -60 |
-5 |
-55~175 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照2mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按6.7mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -70 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
hFE | VCE=-1V,IC=10mA | 25 | - | 150 | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.7 | -0.9 | V |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.1 | -0.25 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=10mA,f=100MHz | 400 | 450 | - | MHz |
Cob
| VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | -
| 3.5
| 5
| pF
|
ton
| IC=10mA,IB=1mA | - | 40
| 80
| ns
|
toff
|
IC=10mA,IB=1mA | -
| 150
| 175
| ns |
