特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
開關(guān)時(shí)間?。辉诟鞣N電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-3、UA型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，Q/RBJ1402-2004,QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CK3015A |
2000 |
400
| -120 | -100 |
-5 |
-55~175 |
3CK3015B | -220 | -200 |
| 3CK3015C | -325 | -300 |
aPtot1為TA=25℃時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照13.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -120 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -100 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-100V | - | 0.03 | 3 | μA |
ICEO | VCE=-100V | - | 0.3 | 10 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.03 | 0.5 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=25mA | 30 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=25mA,IB=2.5mA | - | -0.9 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=25mA,IB=2.5mA | - | -0.3 | -0.5 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=25mA,f=10MHz | 20 | 50 | - | MHz |
ton
| IC=25mA,IB=2.5mA | - | 60
| 200
| ns
|
toff
| IC=25mA,IB=2.5mA | -
| 600
| 800
| ns |
