特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開(kāi)關(guān)時(shí)間小；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：
3CK2905:A3-02B、SMD-0.2、UA型。
3CK2907:A3-01B、SMD-0.2、UB型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
3CK2905:JP、JT、JCT級(jí)，ZZR(Z)-Q/RBJ22108-2009,GJB33A-1997.
3CK2907:JP、JT、JCT級(jí)，ZZR(Z)-Q/RBJ22109-2009,GJB33A-1997.
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | W | A | V | V | V | ℃ |
3CK2905 | 800a
| 3b
|
0.6c | -60 | -60 | -5 |
-55~175 |
3CK2907 | 500d | 1e
|
aPtot1為T(mén)A=25℃時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照4.6mW/℃線性地降額. bPtot2為T(mén)C=25℃,加散熱器時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按17mW/℃線性地降額. cICM為集電極允許耗散功率的范圍，能連續(xù)通過(guò)發(fā)射極的直流電流的最大值。
dPtot1為T(mén)A=25℃時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照2.9mW/℃線性地降額. ePtot2為T(mén)C=25℃,加散熱器時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按5.7mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCE=-50V | - | 5 | 10 | nA |
IEBO | VEB=-4V | - | - | 50 | nA |
hFE1 | VCE=-10V,IC=1mA | 20 | - | 450 | - |
hFE2 | VCE=-10V,IC=10mA | 40 | - | - | - |
hFE3 | VCE=-10V,IC=150mA | 20 | - | 300 | - |
VBE(sat)1 | IC=150A,IB=15A | -0.6 | -0.8 | -1.3 | V |
VBE(sat)2 | IC=500A,IB=50A | - | -1.6 | -2.6 | V |
VCE(sat)1 | IC=150A,IB=15A | - | -0.2 | -0.4 | V |
VCE(sat)2 | IC=500A,IB=50A | - | -0.8 | -1.6 | V |
| fT | VCE=-20V,IC=20A,f=100MHz | 200 | 250 | - | MHz |
ton
| IC=100mA,IB=10mA | - | 20
| 45
| ns
|
toff
| IC=100mA,IB=10mA | -
| 210
| 300
| ns |
