特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時間?。辉诟鞣N電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QJ/01RBJ022H1-1999,QZJ840611;
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20009-2001,GJB33A-1997.
JCT級(可靠性增長)，Q/RBJ22002-2003,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CK130A |
700 |
2000 |
700 | -20 | -15 |
-4 |
-55~175 |
3CK130B | -35 | -30 |
| 3CK130C | -50 | -45 |
| 3CK130D | -20 | -15 |
3CK130E | -35 | -30 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照4.7mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
IEBO | VEB=-1.5V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
hFE | VCE=-1V,IC=500mA | 40 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -0.9 | -1.2 | V |
VCE(sat) |
IC=500mA,IB=50mA | - | -0.2 | -0.5 | V |
fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 150 | 250 | - | MHz |
ton |
IC=500mA,IB=50mA | - | 20 | 50 | ns |
toff | 3CK130A~C |
IC=500mA,IB=50mA |
- | 140 | 160 |
ns |
3CG130D、E | 100 | 120 |
