特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
開(kāi)關(guān)時(shí)間?。辉诟鞣N電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：B2-01C、SMD-3、TO-258型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，Q/RBJ1401-2004,QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CK125A |
125 |
15
| -40 | -30 |
-5 |
-55~175 |
3CK125B | -60 | -40 |
| 3CK125C | -80 | -60 |
| 3CK125D | -100 | -80 |
3CK125E | -120 | -100 |
| 3CK125F |
12
| -140 | -120 |
| 3CK125G | -180 | -160 |
| 3CK125H | -220
| -200 |
aTA＞25℃,按照833.33mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 2 | 200 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 2 | 800 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 2 | 200 | nA |
hFE | VCE=-5V,IC=2A | 20 | - | 120 | - |
VBE(sat) | IC=5A,IB=1A | - | -1 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=5A,IB=1A | - | -0.5 | -0.8 | V |
| fT | VCE=-5V,IC=2A,f=10MHz | 30 | 50 | - | MHz |
ton
| IC=500mA,IB=50mA | - | 100
| 200
| ns
|
toff
| IC=500mA,IB=50mA | -
| 800
| 1200
| ns |
