特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時(shí)間?。辉诟鞣N電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CK104B |
750
|
2000
|
1000
| -50 | -50 |
-5
|
-55~175
|
| 3CK104C | -80 | -80 |
| 3CK104D | -110 | -110 |
3CK104E | -150 | -150 |
| 3CK104F | -200 | -200 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照5mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -50 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -50 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=VCBO | - | 0.05 | 0.1 | mA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.5 | 1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.5 | 1 | μA |
hFE | VCE=-3V,IC=750mA | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=750mA,IB=75mA | - | -0.9 | -1 | V |
VCE(sat) | IC=750mA,IB=75mA | - | -0.2 | -0.25 | V |
ton
| IC=500mA,IB=50mA | - | 300
| 500
| ns
|
toff
| IC=500mA,IB=50mA | -
| 1000
| 1200
| ns |
