特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時(shí)間??；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ |
| 3CK024C |
1000
|
1000
| -80 | -80 |
5
|
-55~175
|
| 3CK024D | -110 | -110 |
3CK024E | -150 | -150 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱帽時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照6.67mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -80 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -80 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=VEBO | - | 0.05 | 0.2 | mA |
ICEO | VCE=0.7VCEO | - | 0.02 | 1 | mA |
IEBO | VEB=-5V | - | 0.05 | 0.2 | mA |
hFE | VCE=-5V,IC=750mA | 30 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=1000mA,IB=100mA | - | -0.9 | -1.6 | V |
VCE(sat) | IC=1000mA,IB=100mA | - | -0.5 | -0.8 | V |
| Cob | VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | - | 100
| 200
| pF |
ton
|
IC=1000mA,IB=100mA | - | 300
| 500
| ns
|
toff
|
IC=1000mA,IB=100mA | -
| 200
| 400
| ns |
