特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關時間?。辉诟鞣N電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
質量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，Q/RBJ1400-2001,QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ |
3CK20A |
20 |
3
| -40 | -30 |
-5 |
-55~175 |
3CK20B | -60 | -40 |
| 3CK20C | -80 | -60 |
| 3CK20D | -100 | -80 |
3CK20E | -120 | -100 |
| 3CK20F |
2
| -140 | -120 |
| 3CK20G | -180 | -160 |
| 3CK20H | -220
| -200 |
aTA＞25℃,按照133.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數 | 數值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 2 | 10 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 2 | 100 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 2 | 10 | μA |
hFE | VCE=-3V,IC=500mA | 25 | - | 150 | - |
VBE(sat) | IC=1000mA,IB=200mA | - | -1 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=1000mA,IB=200mA | - | -0.4 | -0.8 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=200mA,f=10MHz | 25 | 40 | - | MHz |
| Cob | VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | - | 120
| 180
| pF |
ton
| IC=500mA,IB=50mA | - | 60
| 100
| ns
|
toff
| IC=500mA,IB=50mA | -
| 400
| 500
| ns |
