特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關時間?。辉诟鞣N電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20001-2001,GJB33A-1997.
JY1級增長(JY1/K)，ZZR(Z)-Q/RBJ20001A-2007,GJB33A-1997.
JCT、JY1級增長(JCT/K+、JY1/K+)，ZZR(Z)-Q/RBJ20001B-2011,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CK2A |
300 |
1000 |
50 | -20 | -15 |
-5 |
-55~175 |
3CK2B | -20 | -15 |
| 3CK2C | -35 | -30 |
| 3CK2D | -20 | -15 |
3CK2E | -35 | -30 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照2mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按6.7mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù) 值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-1V,IC=10mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.8 | -0.9 | V |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.1 | -0.2 | V |
fT | VCE=-10V,IC=10mA,f=30MHz | 150 | 200 | - | MHz |
ton | IC=10mA,IB=1mA | - | 20 | 45 | ns |
toff | 3CG2A |
IC=10mA,IB=1mA |
- | 110 | 130 |
ns |
3CG2B、C | 90 | 110 |
3CG2D、E | 50 | 60 |
