3CG3637型硅PNP高頻小功率晶體管
3CG3637型硅PNP高頻小功率晶體管
市場價: 0.0
價格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特點

金屬或金屬陶瓷封裝;體積小,重量輕;

特征頻率高;在各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用;

可提供封裝外形有:A3-02B、SMD-0.2、UA型。

可替代型號:2N3637.

質(zhì)量等級及執(zhí)行標準

G、G+級,QZJ840611;

JP、JT、JCT級,ZZR-Q/RBJ20055-2009,GJB33A-1997.


最大額定值


型號

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

A

V

V

V

3CG3637

1000

5000

1

-175

-175

-5

-65~200

aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率;TA>25℃時,按照5.71mW/℃線性地降額.

bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率;TC>25℃時,按28.6mW/℃線性地降額.


電特性

   數(shù)

數(shù)

符號

測試條件

最小值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

-175

-

V

VCEO

IC=0.1mA

-175

-

V

VEBO

IE=0.1mA

-5

-

V

ICBO

VCB=-175V

-

10

μA

ICEO

VCE=-100V

-

10

μA

IEBO

VEB=-3V

-

50

nA

hFE

VCE=-10V,IC=50mA

100

300

-

VBE(sat)

IC=50mA,IB=5mA

-

-0.6

V

VCE(sat)

IC=50mA,IB=5mA

0.65

-0.9

V

fT

VCE=-10V,IC=5mA,f=100MHz

200850MHz
Cob

VCB=-20V,IE=0mA,f=1MHz

-10
pF
ton

IC=500mA,IB=50mA

-200
ns
toff

IC=500mA,IB=50mA

-
600
ns
——————
熱線電話
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