特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
可替代型號：2N3637.
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20055-2009,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | A | V | V | V | ℃ |
3CG3637 |
1000 |
5000 |
1 | -175 | -175 |
-5 |
-65~200 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照5.71mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按28.6mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -175 | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -175 | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | V |
ICBO | VCB=-175V | - | 10 | μA |
ICEO | VCE=-100V | - | 10 | μA |
IEBO | VEB=-3V | - | 50 | nA |
hFE | VCE=-10V,IC=50mA | 100 | 300 | - |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.6 | V |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | 0.65 | -0.9 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=5mA,f=100MHz | 200 | 850 | MHz |
| Cob | VCB=-20V,IE=0mA,f=1MHz | - | 10
| pF |
ton
| IC=500mA,IB=50mA | - | 200
| ns
|
toff
| IC=500mA,IB=50mA | -
| 600
| ns
|
