特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，Q/RBJ1109-2004;QZJ840611;
JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ20024-2003,GJB33A-1997.
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | A | V | V | V | ℃ |
3CG2907 |
400 |
2000 |
0.6 | -60 | -60 |
-5 |
-55~175 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照2.7mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-50V | - | 7 | 10 | nA |
ICEO | VCE=-10V | - | 20 | 500 | nA |
IEBO | VEB=-3.5V | - | 30 | 50 | nA |
hFE | VCE=-10V,IC=1mA | 25 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | -0.8 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | -0.1 | -0.4 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 200 | 250 | - | MHz |
Cob
| VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | -
| 7
| 8
| pF |
