3CG184型硅PNP高頻高反壓小功率晶體管
3CG184型硅PNP高頻高反壓小功率晶體管
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產品詳情

特點

金屬或金屬陶瓷封裝;體積小,重量輕;

特征頻率高;在各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用;

可提供封裝外形有:A3-02B、SMD-0.2、UA型。

質量等級及執(zhí)行標準

G、G+級,QZJ840611;


最大額定值


型號

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

3CG180A



700



2000



300

-120

-100



-5



-55~175

3CG180B

-160

-140

3CG180C-200
-180
3CG180D-240
-220
3CG180E

-280

-260

3CG180F-320

-300

3CG180G-380
-350

3CG180H

-400
-400
3CG180I-450
-450

aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率;TA>25℃時,按照4.67mW/℃線性地降額.

bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率;TC>25℃時,按13.3mW/℃線性地降額.


電特性

   

符號

測試條件

最小值

最大值



ICBO

3CG184A

VCB=-50V



-



1



μA

3CG184B

VCB=-60V

3CG184C

VCB=-70V

3CG184D

VCB=-80V

3CG184E、F

VCB=-90V

3CG184G

VCB=-110V

3CG184H、I

VCB=-200V



ICEO

3CG184A

VCE=-50V



-



1



μA

3CG184B

VCE=-60V

3CG184C

VCE=-70V

3CG184D

VCE=-80V

3CG184E、F

VCE=-90V

3CG184G

VCE=-110V

3CG184H、I

VCE=-200V

IEBO

VEB=-4V

-

1

μA

hFE

VCE=-10V,IC=20mA

20

200

-

VBE(sat)

IC=30mA,IB=3mA

-

-1.2

V

VCE(sat)

IC=30mA,IB=3mA

-

-0.8

V

fT

VCE=-10V,IC=20mA,f=30MHz

50

-

MHz

——————
熱線電話
029-85251919