特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，Q/RBJ1110-2004;QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CG131A |
700 |
2000 |
300 | -30 | -20 |
-4 |
-55~175 |
3CG131B | -35 | -30 |
| 3CG131C | -50
| -45 |
| 3CG131D | -65
| -60
|
3CG131E | -80 | -75 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照4.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=50mA | 20 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.8 | -1 | V |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.1 | -0.6 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 80 | 150 | - | MHz |
Cob
| VCB=-10V,IE=50mA,f=1MHz | -
| 7
| 10
| pF
|
