特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CG102A |
150 |
1500 |
25 | -25 | -20 |
-4 |
-55~175 |
3CG102B | -25 | -20 |
3CG102C | -25 | -20 |
3CG102D | -25 | -20 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照1mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按10mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù) 值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -25 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=2mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.8 | -1.0 | V |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.2 | -0.6 | V |
fT | 3CG102A |
VCE=-10V,IC=5mA,f=100MHz | 700 | 800 |
- |
MHz |
3CG102B | 800 | 900 |
3CG102C | 1000 | 1200 |
3CG102D | 1200 | 1500 |
Cob | VCB=-6V,IE=0,f=1MHz | - | 2 | 2.5 | pF |
