特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，Q/RBJ1101-2004;QZJ840611;
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20048-2009,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CG21A |
300 |
1000 |
50 | -20 | -15 |
-4 |
-55~175 |
3CG21B | -30 | -25 |
3CG21C | -50 | -40 |
3CG21D | -65 | -55 |
3CG21E | -80 | -70
|
| 3CG21F | -90
| -80
|
3CG21G | -100 | -90 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照2mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按6.7mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.05 | 0.5 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.05 | 1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.05 | 1 | μA |
hFE | VCE=-6V,IC=30mA | 25 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.8 | -1.0 | V |
VCE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.2 | -0.5 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=10mA,f=30MHz | 100 | 200 | - | MHz |
