肖特基勢(shì)壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸,就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。肖特基勢(shì)壘(障壁)相較于PN結(jié)最大的區(qū)別在于具有較低的接面電壓,以及在金屬端具有相當(dāng)薄的(幾乎不存在)耗盡層寬度。
肖特基勢(shì)壘指具有大的勢(shì)壘高度(也就是ΦBn或者ΦBp>>kT),以及摻雜濃度比導(dǎo)帶或價(jià)帶上態(tài)密度低的金屬-半導(dǎo)體接觸!
并非所有的金屬-半導(dǎo)體接面都是具有整流特性的,不具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定于金屬的功函、固有半導(dǎo)體的能隙,以及半導(dǎo)體的摻雜類型及濃度。在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件時(shí)需要對(duì)肖特基效應(yīng)相當(dāng)熟悉,以確保不會(huì)在需要?dú)W姆接觸的地方意外地產(chǎn)生肖特基勢(shì)壘。
由于肖特基勢(shì)壘具有較低的界面電壓,可被應(yīng)用在某器件需要近似于一個(gè)理想二極管的地方。在電路設(shè)計(jì)中,它們也同時(shí)與一般的二極管及晶體管一起使用,其主要的功能是利用其較低的接面電壓來(lái)保護(hù)電路上的其它器件。然而,自始至終肖特基器件相較于其它半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō)能被應(yīng)用的領(lǐng)域并不廣。
肖特基二極管,肖特基勢(shì)壘自身作為器件即為肖特基二極管。
肖特基勢(shì)壘碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET:金屬和碳納米管之間的接觸并不理想所以層錯(cuò)導(dǎo)致肖特基勢(shì)壘,所以我們可以使用這一勢(shì)壘來(lái)制作肖特基二極管或者晶體管等等。
上述就是
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