達林頓晶體管是由兩個普通的NPN型晶體管級聯(lián)而成的整體結構。它可以將兩個晶體管的放大系數(shù)相加,從而實現(xiàn)更高的放大倍數(shù),同時也減小了輸出電阻。
達林頓晶體管采用復合連接方式,將兩只或更多只晶體管的集電極連在一起,而將**只晶體管的發(fā)射極直接耦合到第二只晶體管的基極,依次級連而成,最后引出E、B、C三個電極。
當輸入信號加到**個NPN型晶體管的基極時,它的發(fā)射極就會導通,將電流傳送給第二個NPN型晶體管的基極。此時第二個晶體管的基極-發(fā)射極間的電壓就增大,使得第二個晶體管輸出的電流也增大。因此,我們可以通過控制**個晶體管的輸入電流來控制整個達林頓晶體管的輸出電流。
達林頓晶體管的特點
1.輸入阻抗高,可以被普通的TTL,CMOS門電路驅動。
2.飽和導通CE之間的壓降大,開關狀態(tài)下?lián)p耗大。
3.放大倍數(shù)大,驅動能力強。
注:達林頓管選擇需要考慮的參數(shù):CE反向耐壓、工作電流、放大倍數(shù)、耗散功率。
上述就是
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