肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。肖特基勢壘（障壁）相較于PN結(jié)最大的區(qū)別在于具有較低的接面電壓，以及在金屬端具有相當薄的(幾乎不存在)耗盡層寬度。
肖特基勢壘指具有大的勢壘高度（也就是ΦBn或者ΦBp>>kT）,以及摻雜濃度比導帶或價帶上態(tài)密度低的金屬-半導體接觸！
并非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定于金屬的功函、固有半導體的能隙，以及半導體的摻雜類型及濃度。在設計半導體器件時需要對肖特基效應相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產(chǎn)生肖特基勢壘。
由于肖特基勢壘具有較低的界面電壓，可被應用在某器件需要近似于一個理想二極管的地方。在電路設計中，它們也同時與一般的二極管及晶體管一起使用,其主要的功能是利用其較低的接面電壓來保護電路上的其它器件。然而，自始至終肖特基器件相較于其它半導體器件來說能被應用的領域并不廣。
肖特基二極管，肖特基勢壘自身作為器件即為肖特基二極管。
肖特基勢壘碳納米管場效應晶體管FET：金屬和碳納米管之間的接觸并不理想所以層錯導致肖特基勢壘，所以我們可以使用這一勢壘來制作肖特基二極管或者晶體管等等。
上述就是
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